SST25VF512A-33-4C-SAE-T
IC
SOIC-8
可供量大可议
SST25VF512A-33-4C-SAE-T
SST的串行闪存系列具有四线、SPI兼容接口, 可实现低引脚数封装, 占用更少的电路板空间, 并最终降低总系统成本。 采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造。 与其他方法相比, 分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。 该产品显著提高了性能, 同时降低了功耗。 对于任何给定的电压范围, SuperFlash技术在编程时使用的电流更少, 擦除时间更短, 因此在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术。 该产品使用2.7-3.6V单电源供电。
品牌
MICROCHIP
封装
SOIC-8
库存
68
货期
现货
SST25VF512A-33-4C-SAE-T参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | MICROCHIP(美国微芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | NOR FLASH |
|---|---|
| 库存 | 68 |
SST25VF512A-33-4C-SAE-T概述
SST的串行闪存系列具有四线、SPI兼容接口, 可实现低引脚数封装, 占用更少的电路板空间, 并最终降低总系统成本。 采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造。 与其他方法相比, 分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。 该产品显著提高了性能, 同时降低了功耗。 对于任何给定的电压范围, SuperFlash技术在编程时使用的电流更少, 擦除时间更短, 因此在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术。 该产品使用2.7-3.6V单电源供电。
SST25VF512A-33-4C-SAE-T特性
暂无产品特性。
SST25VF512A-33-4C-SAE-T应用领域
暂无应用领域。
