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SSS4N60B-VB
IC

TO-220F

可供量大可议

SSS4N60B-VB

TO220F; N—Channel沟道, 650V; 4A; RDS(ON)=2500mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=2~4V

品牌

VBsemi

封装

TO-220F

库存

40

货期

现货

SSS4N60B-VB参数

封装TO-220F
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存40

SSS4N60B-VB概述

TO220F; N—Channel沟道, 650V; 4A; RDS(ON)=2500mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=2~4V

SSS4N60B-VB特性

暂无产品特性。

SSS4N60B-VB应用领域

暂无应用领域。

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