SSP4N60B-VB
IC
TO-220AB
可供量大可议
SSP4N60B-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极N型场效应晶体管， 采用Plannar技术制造， 适用于各种电源和电路模块。 TO220； N—Channel沟道, 650V； 4.5A； RDS(ON)=1700mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2.5~4.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
1
货期
现货
SSP4N60B-VB参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
SSP4N60B-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极N型场效应晶体管， 采用Plannar技术制造， 适用于各种电源和电路模块。 TO220； N—Channel沟道, 650V； 4.5A； RDS(ON)=1700mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2.5~4.5V
SSP4N60B-VB特性
暂无产品特性。
SSP4N60B-VB应用领域
暂无应用领域。