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SSP45N20B-VB
IC

TO-220AB

可供量大可议

SSP45N20B-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道MOSFET, 采用Trench技术, 适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。 TO220; N—Channel沟道, 200V; 50A; RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V, VGS=25V; Vth=3.5~5V

品牌

VBsemi

封装

TO-220AB

库存

10

货期

现货

SSP45N20B-VB参数

封装TO-220AB
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

SSP45N20B-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道MOSFET, 采用Trench技术, 适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。 TO220; N—Channel沟道, 200V; 50A; RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V, VGS=25V; Vth=3.5~5V

SSP45N20B-VB特性

暂无产品特性。

SSP45N20B-VB应用领域

暂无应用领域。

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