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SSM9435GM-VB
IC

SO-8

可供量大可议

SSM9435GM-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P沟道场效应晶体管, 采用Trench工艺, 用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域, 包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。 SOP8; P—Channel沟道, -30V; -5.8A; RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-0.7~-2V

品牌

VBsemi

封装

SO-8

库存

45

货期

现货

SSM9435GM-VB参数

封装SO-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存45

SSM9435GM-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P沟道场效应晶体管, 采用Trench工艺, 用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域, 包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。 SOP8; P—Channel沟道, -30V; -5.8A; RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-0.7~-2V

SSM9435GM-VB特性

暂无产品特性。

SSM9435GM-VB应用领域

暂无应用领域。

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