SSM6N815R, LF
IC
TSOP-6F
可供量大可议
SSM6N815R, LF
特性：4.0V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 115 mΩ（典型值）(VGS = 4.0V)。 RDS(ON) = 101 mΩ（典型值）(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 84 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 应用：电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
TSOP-6F
库存
126
货期
现货
SSM6N815R, LF参数
| 封装 | TSOP-6F |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 126 |
SSM6N815R, LF概述
特性：4.0V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 115 mΩ（典型值）(VGS = 4.0V)。 RDS(ON) = 101 mΩ（典型值）(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 84 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 应用：电源管理开关
SSM6N815R, LF特性
暂无产品特性。
SSM6N815R, LF应用领域
暂无应用领域。