SSM6N813R, LF
IC
TSOP-6F
可供量大可议
SSM6N813R, LF
特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.5V驱动。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 110 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)； RDS(ON) = 88 mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。 应用：电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
TSOP-6F
库存
143
货期
现货
SSM6N813R, LF参数
| 封装 | TSOP-6F |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 143 |
SSM6N813R, LF概述
特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.5V驱动。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 110 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)； RDS(ON) = 88 mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。 应用：电源管理开关
SSM6N813R, LF特性
暂无产品特性。
SSM6N813R, LF应用领域
暂无应用领域。