SSM6N7002BFE, LM
IC
SOT-563(SOT-666)
可供量大可议
SSM6N7002BFE, LM
特性：小封装。 低导通电阻：RDS(ON) = 3.3Ω (max)(VGS = 4.5V)。 低导通电阻：RDS(ON) = 2.6Ω (max)(VGS = 5V)。 低导通电阻：RDS(ON) = 2.1Ω (max)(VGS = 10V)。 应用：高速开关应用。 模拟开关应用
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-563(SOT-666)
库存
2,390
货期
现货
SSM6N7002BFE, LM参数
| 封装 | SOT-563(SOT-666) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2390 |
SSM6N7002BFE, LM概述
特性：小封装。 低导通电阻：RDS(ON) = 3.3Ω (max)(VGS = 4.5V)。 低导通电阻：RDS(ON) = 2.6Ω (max)(VGS = 5V)。 低导通电阻：RDS(ON) = 2.1Ω (max)(VGS = 10V)。 应用：高速开关应用。 模拟开关应用
SSM6N7002BFE, LM特性
暂无产品特性。
SSM6N7002BFE, LM应用领域
暂无应用领域。