SSM6N62TU, LF
IC
UF6
可供量大可议
SSM6N62TU, LF
特性：AEC-Q101 合格。 1.2-V 驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 67 mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 74 mΩ（典型值）(@ VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 84 mΩ（典型值）(@ VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 94 mΩ（典型值）(@ VGS = 1.5V)。 应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器
品牌
TOSHIBA
封装
UF6
库存
1,360
货期
现货
SSM6N62TU, LF参数
| 封装 | UF6 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1360 |
SSM6N62TU, LF概述
特性：AEC-Q101 合格。 1.2-V 驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 67 mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 74 mΩ（典型值）(@ VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 84 mΩ（典型值）(@ VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 94 mΩ（典型值）(@ VGS = 1.5V)。 应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器
SSM6N62TU, LF特性
暂无产品特性。
SSM6N62TU, LF应用领域
暂无应用领域。