SSM6N58NU, LF
IC
UDFN-6(2x2)
可供量大可议
SSM6N58NU, LF
特性：1.8-V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：ΔRDS(ON) = 84mΩ (最大值)（@VGS = 4.5V）； RDS(ON) = 117mΩ (最大值)（@VGS = 2.5V）； RDS(ON) = 180mΩ (最大值)（@VGS = 1.8V）。 应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器
品牌
TOSHIBA
封装
UDFN-6(2x2)
库存
85
货期
现货
SSM6N58NU, LF参数
| 封装 | UDFN-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
SSM6N58NU, LF概述
特性：1.8-V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：ΔRDS(ON) = 84mΩ (最大值)（@VGS = 4.5V）； RDS(ON) = 117mΩ (最大值)（@VGS = 2.5V）； RDS(ON) = 180mΩ (最大值)（@VGS = 1.8V）。 应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器
SSM6N58NU, LF特性
暂无产品特性。
SSM6N58NU, LF应用领域
暂无应用领域。