SSM6N56FE, LM
IC
SOT-563(SOT-666)
可供量大可议
SSM6N56FE, LM
特性：1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 235mΩ（最大值）（VGS = 4.5V， ID = 800mA）。 RDS(ON) = 300mΩ（最大值）（VGS = 2.5V， ID = 600mA）。 RDS(ON) = 480mΩ（最大值）（VGS = 1.8V， ID = 200mA）。 RDS(ON) = 840mΩ（最大值）（VGS = 1.5V， ID = 50mA）。 应用：高速开关
Brand
TOSHIBA
Package
SOT-563(SOT-666)
Stock
6,940
货期
现货
SSM6N56FE, LMParameters
| 封装 | SOT-563(SOT-666) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6940 |
SSM6N56FE, LM概述
特性：1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 235mΩ（最大值）（VGS = 4.5V， ID = 800mA）。 RDS(ON) = 300mΩ（最大值）（VGS = 2.5V， ID = 600mA）。 RDS(ON) = 480mΩ（最大值）（VGS = 1.8V， ID = 200mA）。 RDS(ON) = 840mΩ（最大值）（VGS = 1.5V， ID = 50mA）。 应用：高速开关
SSM6N56FE, LM特性
暂无产品特性。
SSM6N56FE, LM应用领域
暂无应用领域。