SSM6N35AFE, LF
IC
SOT-563(SOT-666)
可供量大可议
SSM6N35AFE, LF
特性：1.2 V驱动。 低漏源导通电阻: -R₍DS(ON)₎ = 9.0 Ω (max)(@V₍GS₎ = 1.2 V, I_D = 10 mA)。 R₍DS(ON)₎ = 3.1 Ω (max)(@V₍GS₎ = 1.5 V, I_D = 20 mA)。 应用：高速开关模拟开关
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-563(SOT-666)
库存
3,845
货期
现货
SSM6N35AFE, LF参数
| 封装 | SOT-563(SOT-666) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3845 |
SSM6N35AFE, LF概述
特性：1.2 V驱动。 低漏源导通电阻: -R₍DS(ON)₎ = 9.0 Ω (max)(@V₍GS₎ = 1.2 V, I_D = 10 mA)。 R₍DS(ON)₎ = 3.1 Ω (max)(@V₍GS₎ = 1.5 V, I_D = 20 mA)。 应用：高速开关模拟开关
SSM6N35AFE, LF特性
暂无产品特性。
SSM6N35AFE, LF应用领域
暂无应用领域。