SSM6N15AFE, LM
IC
SOT-563(SOT-666)
可供量大可议
SSM6N15AFE, LM
特性：2.5V驱动。 N沟道2合1。 低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω (max) (VGS = 4.0V)； RDS(ON) = 6.0Ω (max) (VGS = 2.5V)。 应用：负载开关应用
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-563(SOT-666)
库存
975
货期
现货
SSM6N15AFE, LM参数
| 封装 | SOT-563(SOT-666) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 975 |
SSM6N15AFE, LM概述
特性：2.5V驱动。 N沟道2合1。 低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω (max) (VGS = 4.0V)； RDS(ON) = 6.0Ω (max) (VGS = 2.5V)。 应用：负载开关应用
SSM6N15AFE, LM特性
暂无产品特性。
SSM6N15AFE, LM应用领域
暂无应用领域。