SSM6L820R, LXHF
IC
TSOP-6-F
可供量大可议
SSM6L820R, LXHF
特性：AEC-Q101合格（请参阅可订购的产品编号列表）。 低漏源导通电阻: -Q1 N沟道: -RDS(ON)=39.1 mΩ（最大值）（@VGS = 4.5 V）。 -RDS(ON)=53 mΩ（最大值）（@VGS = 2.5 V）。 应用：电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
TSOP-6-F
库存
45
货期
现货
SSM6L820R, LXHF参数
| 封装 | TSOP-6-F |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
SSM6L820R, LXHF概述
特性：AEC-Q101合格（请参阅可订购的产品编号列表）。 低漏源导通电阻: -Q1 N沟道: -RDS(ON)=39.1 mΩ（最大值）（@VGS = 4.5 V）。 -RDS(ON)=53 mΩ（最大值）（@VGS = 2.5 V）。 应用：电源管理开关
SSM6L820R, LXHF特性
暂无产品特性。
SSM6L820R, LXHF应用领域
暂无应用领域。