SSM6L61NU, LF
IC
UDFN6
可供量大可议
SSM6L61NU, LF
特性：低漏源导通电阻。 -Q1 N沟道: -RDS(ON) = 33 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。 -RDS(ON) = 45 mΩ (最大值) (@VGS = 2.5 V)。 应用：电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
UDFN6
库存
100
货期
现货
SSM6L61NU, LF参数
| 封装 | UDFN6 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
SSM6L61NU, LF概述
特性：低漏源导通电阻。 -Q1 N沟道: -RDS(ON) = 33 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。 -RDS(ON) = 45 mΩ (最大值) (@VGS = 2.5 V)。 应用：电源管理开关
SSM6L61NU, LF特性
暂无产品特性。
SSM6L61NU, LF应用领域
暂无应用领域。