SSM6L56FE, LM
IC
SOT-563(SOT-666)
可供量大可议
SSM6L56FE, LM
特性：1.5V 驱动。 低漏源导通电阻: -Q1 N 沟道: -RDS(ON) = 235 mΩ（最大值）（VGS = 4.5 V， ID = 800 mA）。 -RDS(ON) = 300 mΩ（最大值）（VGS = 2.5 V， ID = 600 mA）。 -RDS(ON) = 480 mΩ（最大值）（VGS = 1.8 V， ID = 200 mA）。 应用：高速开关
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-563(SOT-666)
库存
2,790
货期
现货
SSM6L56FE, LM参数
| 封装 | SOT-563(SOT-666) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2790 |
SSM6L56FE, LM概述
特性：1.5V 驱动。 低漏源导通电阻: -Q1 N 沟道: -RDS(ON) = 235 mΩ（最大值）（VGS = 4.5 V， ID = 800 mA）。 -RDS(ON) = 300 mΩ（最大值）（VGS = 2.5 V， ID = 600 mA）。 -RDS(ON) = 480 mΩ（最大值）（VGS = 1.8 V， ID = 200 mA）。 应用：高速开关
SSM6L56FE, LM特性
暂无产品特性。
SSM6L56FE, LM应用领域
暂无应用领域。