SSM6K810R, LF
IC
TSOP-6F
可供量大可议
SSM6K810R, LF
特性：AEC-Q101 合格。 175℃ MOSFET。 4.5-V 驱动。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 65 mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)； RDS(ON) = 51 mΩ（典型值）(@ VGS = 10V)。 应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器
品牌
TOSHIBA
封装
TSOP-6F
库存
3,000
货期
现货
SSM6K810R, LF参数
| 封装 | TSOP-6F |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
| 商品型号 | SSM6K810R, LF |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 6.9e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 430pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | N沟道 100V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
SSM6K810R, LF概述
适用于工业、科学和医疗（ISM）领域， 频率范围为2400 MHz至2500 MHz的250 W LDMOS功率晶体管。 BLF2425M7L250P和BLF2425M7LS250P专为高功率连续波（CW）应用设计， 采用高性能陶瓷封装， 有带耳和无耳两种版本。
SSM6K810R, LF特性
- 符合AEC-Q101标准
- 175°C MOSFET
- 4.5 V驱动
- 低漏源导通电阻
- RDS(ON) = 65 mΩ(典型值)(@ VGS = 4.5 V)
- RDS(ON) = 51 mΩ(典型值)(@ VGS = 10 V)
SSM6K810R, LF应用领域
- 电源管理开关
- 直流-直流转换器