SSM6K518NU, LF
IC
UDFNB-6(2x2)
可供量大可议
SSM6K518NU, LF
特性：1.5V 驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 33 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。 RDS(ON) = 45 mΩ (最大值) (@VGS = 2.5 V)。 RDS(ON) = 74 mΩ (最大值) (@VGS = 1.8 V)。 RDS(ON) = 108 mΩ (最大值) (@VGS = 1.5 V)。 应用：电源管理开关。 高速开关
品牌
TOSHIBA
封装
UDFNB-6(2x2)
库存
45
货期
现货
SSM6K518NU, LF参数
| 封装 | UDFNB-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
SSM6K518NU, LF概述
特性：1.5V 驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 33 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。 RDS(ON) = 45 mΩ (最大值) (@VGS = 2.5 V)。 RDS(ON) = 74 mΩ (最大值) (@VGS = 1.8 V)。 RDS(ON) = 108 mΩ (最大值) (@VGS = 1.5 V)。 应用：电源管理开关。 高速开关
SSM6K518NU, LF特性
暂无产品特性。
SSM6K518NU, LF应用领域
暂无应用领域。