SSM6K514NU, LF
IC
UDFNB-6(2x2)
可供量大可议
SSM6K514NU, LF
特性：4.5V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 11.2mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 8.9mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。 应用：电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
UDFNB-6(2x2)
库存
2,975
货期
现货
SSM6K514NU, LF参数
| 封装 | UDFNB-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2975 |
SSM6K514NU, LF概述
特性：4.5V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 11.2mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 8.9mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。 应用：电源管理开关
SSM6K514NU, LF特性
暂无产品特性。
SSM6K514NU, LF应用领域
暂无应用领域。