SSM6K504NU, LF
IC
UDFN-6B
可供量大可议
SSM6K504NU, LF
特性：4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26 mΩ (最大值) (VGS = 4.5V)； RDS(ON) = 19.5 mΩ (最大值) (VGS = 10V)。 应用：高速开关
品牌
TOSHIBA
封装
UDFN-6B
库存
2,520
货期
现货
SSM6K504NU, LF参数
| 封装 | UDFN-6B |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2520 |
SSM6K504NU, LF概述
特性：4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26 mΩ (最大值) (VGS = 4.5V)； RDS(ON) = 19.5 mΩ (最大值) (VGS = 10V)。 应用：高速开关
SSM6K504NU, LF特性
暂无产品特性。
SSM6K504NU, LF应用领域
暂无应用领域。