SSM6K217FE, LF
IC
SOT-563(SOT-666)
可供量大可议
SSM6K217FE, LF
特性：1.8-V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 155 mΩ（典型值）(VGS = 8.0V, ID = 1.0A)。 RDS(ON) = 165 mΩ（典型值）(VGS = 4.5V, ID = 1.0A)。 RDS(ON) = 170 mΩ（典型值）(VGS = 3.6V, ID = 1.0A)。 RDS(ON) = 190 mΩ（典型值）(VGS = 2.5V, ID = 0.5A)。 RDS(ON) = 230 mΩ（典型值）(VGS = 1.8V, ID = 0.2A)。 应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-563(SOT-666)
库存
4,035
货期
现货
SSM6K217FE, LF参数
| 封装 | SOT-563(SOT-666) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4035 |
SSM6K217FE, LF概述
特性：1.8-V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 155 mΩ（典型值）(VGS = 8.0V, ID = 1.0A)。 RDS(ON) = 165 mΩ（典型值）(VGS = 4.5V, ID = 1.0A)。 RDS(ON) = 170 mΩ（典型值）(VGS = 3.6V, ID = 1.0A)。 RDS(ON) = 190 mΩ（典型值）(VGS = 2.5V, ID = 0.5A)。 RDS(ON) = 230 mΩ（典型值）(VGS = 1.8V, ID = 0.2A)。 应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器
SSM6K217FE, LF特性
暂无产品特性。
SSM6K217FE, LF应用领域
暂无应用领域。