SSM6J801R, LF
IC
TSOP-6F
可供量大可议
SSM6J801R, LF
特性：1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 88.4 mΩ（最大值）(VGS = -1.5V)。 RDS(ON) = 56.0 mΩ（最大值）(VGS = -1.8V)。 RDS(ON) = 39.7 mΩ（最大值）(VGS = -2.5V)。 RDS(ON) = 32.5 mΩ（最大值）(VGS = -4.5V)。 应用：电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
TSOP-6F
库存
18
货期
现货
SSM6J801R, LF参数
| 封装 | TSOP-6F |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18 |
SSM6J801R, LF概述
特性：1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 88.4 mΩ（最大值）(VGS = -1.5V)。 RDS(ON) = 56.0 mΩ（最大值）(VGS = -1.8V)。 RDS(ON) = 39.7 mΩ（最大值）(VGS = -2.5V)。 RDS(ON) = 32.5 mΩ（最大值）(VGS = -4.5V)。 应用：电源管理开关
SSM6J801R, LF特性
暂无产品特性。
SSM6J801R, LF应用领域
暂无应用领域。