SSM6J771G, LF(S
IC
WCSP-6C
可供量大可议
SSM6J771G, LF(S
特性：高栅源电压：±12V。 高漏源电压：-20V。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26mΩ（典型值）(@VGS = -4.5V, ID = -3.0A)； RDS(ON) = 24mΩ（典型值）(@VGS = -8.0V, ID = -3.0A)； RDS(ON) = 23mΩ（典型值）(@VGS = -8.5V, ID = -3.0A)。 应用：BATFETs电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
WCSP-6C
库存
65
货期
现货
SSM6J771G, LF(S参数
| 封装 | WCSP-6C |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 65 |
SSM6J771G, LF(S概述
特性：高栅源电压：±12V。 高漏源电压：-20V。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26mΩ（典型值）(@VGS = -4.5V, ID = -3.0A)； RDS(ON) = 24mΩ（典型值）(@VGS = -8.0V, ID = -3.0A)； RDS(ON) = 23mΩ（典型值）(@VGS = -8.5V, ID = -3.0A)。 应用：BATFETs电源管理开关
SSM6J771G, LF(S特性
暂无产品特性。
SSM6J771G, LF(S应用领域
暂无应用领域。