SSM6J512NU, LF
IC
UDFNB-6(2x2)
可供量大可议
SSM6J512NU, LF
特性：1.8 V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 24.0 mΩ（典型值） (@VGS = -1.8V)； RDS(ON) = 18.3 mΩ（典型值） (@VGS = -2.5V)； RDS(ON) = 14.3 mΩ（典型值） (@VGS = -4.5V)。 应用：电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
UDFNB-6(2x2)
库存
4,085
货期
现货
SSM6J512NU, LF参数
| 封装 | UDFNB-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4085 |
SSM6J512NU, LF概述
特性：1.8 V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 24.0 mΩ（典型值） (@VGS = -1.8V)； RDS(ON) = 18.3 mΩ（典型值） (@VGS = -2.5V)； RDS(ON) = 14.3 mΩ（典型值） (@VGS = -4.5V)。 应用：电源管理开关
SSM6J512NU, LF特性
暂无产品特性。
SSM6J512NU, LF应用领域
暂无应用领域。