SSM6J511NU, LF
IC
PDFN-6-EP(2x2)
可供量大可议
SSM6J511NU, LF
特性：1.8 V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：Δ:RDS(ON) = 13.5mΩ（最大值， VGS = -2.5V）， RDS(ON) = 10mΩ（最大值， VGS = -4.5V）。 应用：电源管理开关
Brand
TOSHIBA
Package
PDFN-6-EP(2x2)
Stock
11,735
货期
现货
SSM6J511NU, LFParameters
| 封装 | PDFN-6-EP(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11735 |
SSM6J511NU, LF概述
特性：1.8 V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：Δ:RDS(ON) = 13.5mΩ（最大值， VGS = -2.5V）， RDS(ON) = 10mΩ（最大值， VGS = -4.5V）。 应用：电源管理开关
SSM6J511NU, LF特性
暂无产品特性。
SSM6J511NU, LF应用领域
暂无应用领域。