SSM6J507NU, LF
IC
UDFNB-6(2x2)
可供量大可议
SSM6J507NU, LF
特性：4V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 20mΩ（最大值）（VGS = -10V）。 RDS(ON) = 28mΩ（最大值）（VGS = -4.5V）。 RDS(ON) = 32mΩ（最大值）（VGS = -4.0V）。 应用：电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
UDFNB-6(2x2)
库存
530
货期
现货
SSM6J507NU, LF参数
| 封装 | UDFNB-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 530 |
SSM6J507NU, LF概述
特性：4V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 20mΩ（最大值）（VGS = -10V）。 RDS(ON) = 28mΩ（最大值）（VGS = -4.5V）。 RDS(ON) = 32mΩ（最大值）（VGS = -4.0V）。 应用：电源管理开关
SSM6J507NU, LF特性
暂无产品特性。
SSM6J507NU, LF应用领域
暂无应用领域。