SSM6J501NU, LF
IC
UDFN-6(2x2)
可供量大可议
SSM6J501NU, LF
特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 43.0mΩ（最大值） (VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 26.5mΩ（最大值） (VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 19.0mΩ（最大值） (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 15.0mΩ（最大值） (VGS =-4.5V)
品牌
TOSHIBA
封装
UDFN-6(2x2)
库存
184
货期
现货
SSM6J501NU, LF参数
| 封装 | UDFN-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 184 |
SSM6J501NU, LF概述
特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 43.0mΩ（最大值） (VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 26.5mΩ（最大值） (VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 19.0mΩ（最大值） (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 15.0mΩ（最大值） (VGS =-4.5V)
SSM6J501NU, LF特性
暂无产品特性。
SSM6J501NU, LF应用领域
暂无应用领域。