SSM6J422TU, LF
IC
SMD-6P
可供量大可议
SSM6J422TU, LF
特性：AEC-Q101合格。 1.5-V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：ΔRDS(ON) = 99.6 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V)； RDS(ON) = 67.8 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V)； RDS(ON) = 51.4 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V)； RDS(ON) = 42.7 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。 应用：电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
SMD-6P
库存
1,800
货期
现货
SSM6J422TU, LF参数
| 封装 | SMD-6P |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1800 |
SSM6J422TU, LF概述
特性：AEC-Q101合格。 1.5-V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：ΔRDS(ON) = 99.6 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V)； RDS(ON) = 67.8 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V)； RDS(ON) = 51.4 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V)； RDS(ON) = 42.7 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。 应用：电源管理开关
SSM6J422TU, LF特性
暂无产品特性。
SSM6J422TU, LF应用领域
暂无应用领域。