SSM6J414TU, LF
IC
SOT-363F
可供量大可议
SSM6J414TU, LF
特性：1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 54 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V)。 -RDS(ON) = 36 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V)。 -RDS(ON) = 26 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V)。 -RDS(ON) = 22.5 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。 应用：电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-363F
库存
2,881
货期
现货
SSM6J414TU, LF参数
| 封装 | SOT-363F |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2881 |
SSM6J414TU, LF概述
特性：1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 54 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V)。 -RDS(ON) = 36 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V)。 -RDS(ON) = 26 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V)。 -RDS(ON) = 22.5 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。 应用：电源管理开关
SSM6J414TU, LF特性
暂无产品特性。
SSM6J414TU, LF应用领域
暂无应用领域。