SSM6J214FE(TE85L, F
IC
SOT-563(SOT-666)
可供量大可议
SSM6J214FE(TE85L, F
特性：1.8V驱动。 低导通电阻：RDS(ON) = 146.6mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)； RDS(ON) = 77.6mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)； RDS(ON) = 57.0mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)； RDS(ON) = 50.0mΩ（最大值）(VGS =-10V)
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-563(SOT-666)
库存
11,200
货期
现货
SSM6J214FE(TE85L, F参数
| 封装 | SOT-563(SOT-666) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11200 |
SSM6J214FE(TE85L, F概述
特性：1.8V驱动。 低导通电阻：RDS(ON) = 146.6mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)； RDS(ON) = 77.6mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)； RDS(ON) = 57.0mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)； RDS(ON) = 50.0mΩ（最大值）(VGS =-10V)
SSM6J214FE(TE85L, F特性
暂无产品特性。
SSM6J214FE(TE85L, F应用领域
暂无应用领域。