SSM4920M-VB
IC
SO-8
可供量大可议
SSM4920M-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N型MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于需要高性能开关的电路和模块等领域。 SOP8； 2个N—Channel沟道, 20V； 7.1A； RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V, VGS=12V； Vth=0.6~1.5V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
100
货期
现货
SSM4920M-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
SSM4920M-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N型MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于需要高性能开关的电路和模块等领域。 SOP8； 2个N—Channel沟道, 20V； 7.1A； RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V, VGS=12V； Vth=0.6~1.5V
SSM4920M-VB特性
暂无产品特性。
SSM4920M-VB应用领域
暂无应用领域。