SSM4509GM-VB
IC
SO-8
可供量大可议
SSM4509GM-VB
SOP8； N+P—Channel沟道, ±30V； 11/-10.5A； RDS(ON)=11/21mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1 / -0.9~2.2/-2.5V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
20
货期
现货
SSM4509GM-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
SSM4509GM-VB概述
SOP8； N+P—Channel沟道, ±30V； 11/-10.5A； RDS(ON)=11/21mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1 / -0.9~2.2/-2.5V
SSM4509GM-VB特性
暂无产品特性。
SSM4509GM-VB应用领域
暂无应用领域。