SSM4435M-VB
IC
SO-8
可供量大可议
SSM4435M-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道功率场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中， 其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。 SOP8； P—Channel沟道, -30V； -9A； RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
45
货期
现货
SSM4435M-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
SSM4435M-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道功率场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中， 其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。 SOP8； P—Channel沟道, -30V； -9A； RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
SSM4435M-VB特性
暂无产品特性。
SSM4435M-VB应用领域
暂无应用领域。