SSM3K56CT, L3F
IC
SOT-883
可供量大可议
SSM3K56CT, L3F
特性：1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 235 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。 RDS(ON) = 300 mΩ (最大值) (@VGS = 2.5 V)。 RDS(ON) = 480 mΩ (最大值) (@VGS = 1.8 V)。 RDS(ON) = 840 mΩ (最大值) (@VGS = 1.5 V)。 应用：高速开关
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-883
库存
10
货期
现货
SSM3K56CT, L3F参数
| 封装 | SOT-883 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SSM3K56CT, L3F概述
特性：1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 235 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。 RDS(ON) = 300 mΩ (最大值) (@VGS = 2.5 V)。 RDS(ON) = 480 mΩ (最大值) (@VGS = 1.8 V)。 RDS(ON) = 840 mΩ (最大值) (@VGS = 1.5 V)。 应用：高速开关
SSM3K56CT, L3F特性
暂无产品特性。
SSM3K56CT, L3F应用领域
暂无应用领域。