SSM3K56ACT, L3F
IC
SOT-883-3
可供量大可议
SSM3K56ACT, L3F
特性：1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 235 mΩ（最大值）(@VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 300 mΩ（最大值）(@VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 480 mΩ（最大值）(@VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 840 mΩ（最大值）(@VGS = 1.5V)。 应用：高速开关
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-883-3
库存
7,835
货期
现货
SSM3K56ACT, L3F参数
| 封装 | SOT-883-3 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7835 |
SSM3K56ACT, L3F概述
特性：1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 235 mΩ（最大值）(@VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 300 mΩ（最大值）(@VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 480 mΩ（最大值）(@VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 840 mΩ（最大值）(@VGS = 1.5V)。 应用：高速开关
SSM3K56ACT, L3F特性
暂无产品特性。
SSM3K56ACT, L3F应用领域
暂无应用领域。