SSM3K35MFV, L3F
IC
VESM
可供量大可议
SSM3K35MFV, L3F
特性：1.2V驱动低导通电阻：Ron = 20Ω（最大值）(VGS = 1.2V)； Ron = 8Ω（最大值）(VGS = 1.5V)； Ron = 4Ω（最大值）(VGS = 2.5V)； Ron = 3Ω（最大值）(VGS = 4.0V)。 应用：高速开关应用。 模拟开关应用
品牌
TOSHIBA
封装
VESM
库存
3,420
货期
现货
SSM3K35MFV, L3F参数
| 封装 | VESM |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3420 |
SSM3K35MFV, L3F概述
特性：1.2V驱动低导通电阻：Ron = 20Ω（最大值）(VGS = 1.2V)； Ron = 8Ω（最大值）(VGS = 1.5V)； Ron = 4Ω（最大值）(VGS = 2.5V)； Ron = 3Ω（最大值）(VGS = 4.0V)。 应用：高速开关应用。 模拟开关应用
SSM3K35MFV, L3F特性
暂无产品特性。
SSM3K35MFV, L3F应用领域
暂无应用领域。