SSM3K318R, LF(B
IC
SOT-23F
可供量大可议
SSM3K318R, LF(B
特性：4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 145 mΩ（最大值）(VGS = 4.5V)； RDS(ON) = 107 mΩ（最大值）(VGS = 10V)。 应用：负载开关。 超高速开关
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-23F
库存
1,760
货期
现货
SSM3K318R, LF(B参数
| 封装 | SOT-23F |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1760 |
SSM3K318R, LF(B概述
特性：4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 145 mΩ（最大值）(VGS = 4.5V)； RDS(ON) = 107 mΩ（最大值）(VGS = 10V)。 应用：负载开关。 超高速开关
SSM3K318R, LF(B特性
暂无产品特性。
SSM3K318R, LF(B应用领域
暂无应用领域。