SSM3K318R, LF
IC
SOT-23F
可供量大可议
SSM3K318R, LF
特性：4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 145 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)； RDS(ON) = 107 mΩ (max) (@VGS = 10 V)。 应用：负载开关。 超高速开关
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-23F
库存
23,600
货期
现货
SSM3K318R, LF参数
| 封装 | SOT-23F |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23600 |
SSM3K318R, LF概述
特性：4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 145 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)； RDS(ON) = 107 mΩ (max) (@VGS = 10 V)。 应用：负载开关。 超高速开关
SSM3K318R, LF特性
暂无产品特性。
SSM3K318R, LF应用领域
暂无应用领域。