SSM3K316T-VB
IC
SOT-23-3
可供量大可议
SSM3K316T-VB
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 򬓹 򏟋 V, 𮧂 񄂹 𢺫 A, RDS(ON), 򬓹 򏟋 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򬓹 򬓹 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 󗙻 񄂹 𛾾 Vth(V)封装:SOT򘞟 򬓹 -򬓹 具有低导通电阻、高电流能力、低驱动阈值电压等特点, 特别适合空间受限、需高效开关或大电流驱动的低压电子系统。
品牌
VBsemi
封装
SOT-23-3
库存
200
货期
现货
SSM3K316T-VB参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 23+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
SSM3K316T-VB概述
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 򬓹 򏟋 V, 𮧂 񄂹 𢺫 A, RDS(ON), 򬓹 򏟋 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򬓹 򬓹 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 󗙻 񄂹 𛾾 Vth(V)封装:SOT򘞟 򬓹 -򬓹 具有低导通电阻、高电流能力、低驱动阈值电压等特点, 特别适合空间受限、需高效开关或大电流驱动的低压电子系统。
SSM3K316T-VB特性
暂无产品特性。
SSM3K316T-VB应用领域
暂无应用领域。