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SSM3K2615TU, LF
IC

2-2U1A

可供量大可议

SSM3K2615TU, LF

特性:AEC-Q101合格。 3.3-V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 380 mΩ(典型值)(VGS = 3.3V, ID = 0.5A); RDS(ON) = 330 mΩ(典型值)(VGS = 4.0V, ID = 1.0A); RDS(ON) = 230 mΩ(典型值)(VGS = 10V, ID = 1.0A)。 应用:负载开关。 电机驱动器

品牌

TOSHIBA

封装

2-2U1A

库存

20

货期

现货

SSM3K2615TU, LF参数

封装2-2U1A
品牌TOSHIBA(东芝)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存20

SSM3K2615TU, LF概述

特性:AEC-Q101合格。 3.3-V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 380 mΩ(典型值)(VGS = 3.3V, ID = 0.5A); RDS(ON) = 330 mΩ(典型值)(VGS = 4.0V, ID = 1.0A); RDS(ON) = 230 mΩ(典型值)(VGS = 10V, ID = 1.0A)。 应用:负载开关。 电机驱动器

SSM3K2615TU, LF特性

暂无产品特性。

SSM3K2615TU, LF应用领域

暂无应用领域。

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