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SSM3K2615R, LXGF
IC

SOT-23F

可供量大可议

SSM3K2615R, LXGF

特性:AEC-Q101 Qualified。 3.3-V gate drive voltage。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 380 mΩ(典型值) (VGS = 3.3V, ID = 0.5A); RDS(ON) = 330 mΩ(典型值) (VGS = 4.0V, ID = 1.0A); RDS(ON) = 230 mΩ(典型值) (VGS = 10V, ID = 1.0A)。 应用:负载开关。 电机驱动器

品牌

TOSHIBA

封装

SOT-23F

库存

3,520

货期

现货

SSM3K2615R, LXGF参数

封装SOT-23F
品牌TOSHIBA(东芝)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存3520

SSM3K2615R, LXGF概述

特性:AEC-Q101 Qualified。 3.3-V gate drive voltage。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 380 mΩ(典型值) (VGS = 3.3V, ID = 0.5A); RDS(ON) = 330 mΩ(典型值) (VGS = 4.0V, ID = 1.0A); RDS(ON) = 230 mΩ(典型值) (VGS = 10V, ID = 1.0A)。 应用:负载开关。 电机驱动器

SSM3K2615R, LXGF特性

暂无产品特性。

SSM3K2615R, LXGF应用领域

暂无应用领域。

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