SSM3K16CT, L3F
IC
SOT-883-3
可供量大可议
SSM3K16CT, L3F
特性：适合高密度安装， 采用紧凑型封装。 低导通电阻：RDS(ON) = 3.0Ω 最大值 (@VGS = 4V)。 RDS(ON) = 4.0Ω 最大值 (@VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 15Ω 最大值 (@VGS = 1.5V)。 应用：高速开关应用。 模拟开关应用
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-883-3
库存
13,630
货期
现货
SSM3K16CT, L3F参数
| 封装 | SOT-883-3 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13630 |
SSM3K16CT, L3F概述
特性：适合高密度安装， 采用紧凑型封装。 低导通电阻：RDS(ON) = 3.0Ω 最大值 (@VGS = 4V)。 RDS(ON) = 4.0Ω 最大值 (@VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 15Ω 最大值 (@VGS = 1.5V)。 应用：高速开关应用。 模拟开关应用
SSM3K16CT, L3F特性
暂无产品特性。
SSM3K16CT, L3F应用领域
暂无应用领域。