SSM3J56MFV, L3F
IC
SOT-723
可供量大可议
SSM3J56MFV, L3F
特性：1.2V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)。 -RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 -RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 -RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 -RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(VGS =-1.2V)。 重量：1.5mg（典型值）
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-723
库存
5,900
货期
现货
SSM3J56MFV, L3F参数
| 封装 | SOT-723 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5900 |
SSM3J56MFV, L3F概述
特性：1.2V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)。 -RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 -RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 -RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 -RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(VGS =-1.2V)。 重量：1.5mg（典型值）
SSM3J56MFV, L3F特性
暂无产品特性。
SSM3J56MFV, L3F应用领域
暂无应用领域。