SSM3J372R, LF(B
IC
SOT-23-3
可供量大可议
SSM3J372R, LF(B
特性：AEC-Q101合格。 1.8-V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 144 mΩ (max) (VGS = -1.8 V)。 RDS(ON) = 72.0 mΩ (max) (VGS = -2.5 V)。 RDS(ON) = 50.0 mΩ (max) (VGS = -4.5 V)。 RDS(ON) = 42.0 mΩ (max) (VGS = -10 V)。 应用：电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-23-3
库存
3,415
货期
现货
SSM3J372R, LF(B参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3415 |
SSM3J372R, LF(B概述
特性：AEC-Q101合格。 1.8-V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 144 mΩ (max) (VGS = -1.8 V)。 RDS(ON) = 72.0 mΩ (max) (VGS = -2.5 V)。 RDS(ON) = 50.0 mΩ (max) (VGS = -4.5 V)。 RDS(ON) = 42.0 mΩ (max) (VGS = -10 V)。 应用：电源管理开关
SSM3J372R, LF(B特性
暂无产品特性。
SSM3J372R, LF(B应用领域
暂无应用领域。