SSM3J35AMFV, L3F
IC
SOT-723
可供量大可议
SSM3J35AMFV, L3F
特性：1.2V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω（典型值）@VGS = -1.2V。 -RDS(ON) = 2.3Ω（典型值）@VGS = -1.5V。 -RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）@VGS = -1.8V。 -RDS(ON) = 1.5Ω（典型值）@VGS = -2.5V。 -RDS(ON) = 1.1Ω（典型值）@VGS = -4.5V。 应用：模拟开关
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-723
库存
1,865
货期
现货
SSM3J35AMFV, L3F参数
| 封装 | SOT-723 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1865 |
SSM3J35AMFV, L3F概述
特性：1.2V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω（典型值）@VGS = -1.2V。 -RDS(ON) = 2.3Ω（典型值）@VGS = -1.5V。 -RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）@VGS = -1.8V。 -RDS(ON) = 1.5Ω（典型值）@VGS = -2.5V。 -RDS(ON) = 1.1Ω（典型值）@VGS = -4.5V。 应用：模拟开关
SSM3J35AMFV, L3F特性
暂无产品特性。
SSM3J35AMFV, L3F应用领域
暂无应用领域。