SSM3J358R, LF
IC
SOT-23F
可供量大可议
SSM3J358R, LF
特性：1.8 V驱动。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 49.3 mΩ（最大值）(@VGS = -1.8V)。 RDS(ON) = 32.8 mΩ（最大值）(@VGS = -2.5V)。 RDS(ON) = 27.7 mΩ（最大值）(@VGS = -3.6V)。 RDS(ON) = 25.3 mΩ（最大值）(@VGS = -4.5V)。 RDS(ON) = 22.1 mΩ（最大值）(@VGS = -8V)。 应用：电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-23F
库存
1
货期
现货
SSM3J358R, LF参数
| 封装 | SOT-23F |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
SSM3J358R, LF概述
特性：1.8 V驱动。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 49.3 mΩ（最大值）(@VGS = -1.8V)。 RDS(ON) = 32.8 mΩ（最大值）(@VGS = -2.5V)。 RDS(ON) = 27.7 mΩ（最大值）(@VGS = -3.6V)。 RDS(ON) = 25.3 mΩ（最大值）(@VGS = -4.5V)。 RDS(ON) = 22.1 mΩ（最大值）(@VGS = -8V)。 应用：电源管理开关
SSM3J358R, LF特性
暂无产品特性。
SSM3J358R, LF应用领域
暂无应用领域。