SSM3J356R, LF
IC
SOT-23F
可供量大可议
SSM3J356R, LF
特性：AEC-Q101认证。 4V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 400mΩ（最大值）(@VGS = -4.0V)， RDS(ON) = 300mΩ（最大值）(@VGS = -10V)。 应用：电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-23F
库存
11,075
货期
现货
SSM3J356R, LF参数
| 封装 | SOT-23F |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11075 |
SSM3J356R, LF概述
特性：AEC-Q101认证。 4V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 400mΩ（最大值）(@VGS = -4.0V)， RDS(ON) = 300mΩ（最大值）(@VGS = -10V)。 应用：电源管理开关
SSM3J356R, LF特性
暂无产品特性。
SSM3J356R, LF应用领域
暂无应用领域。