SSM3J334R-HXY
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
SSM3J334R-HXY
这款场效应管采用P型设计, 适用于多种应用场景。 其关键参数包括:电流能力高达4.1A, 承受电压可达30V, 内阻典型值为42mR, 栅源极电压VGS为20V。 该元器件具有优异的性能和稳定性, 可确保在各种工作环境下提供可靠的性能表现, 适合用于电源管理、信号放大等多种电子设备中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23-3L
库存
10
货期
现货
SSM3J334R-HXY参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SSM3J334R-HXY概述
这款场效应管采用P型设计, 适用于多种应用场景。 其关键参数包括:电流能力高达4.1A, 承受电压可达30V, 内阻典型值为42mR, 栅源极电压VGS为20V。 该元器件具有优异的性能和稳定性, 可确保在各种工作环境下提供可靠的性能表现, 适合用于电源管理、信号放大等多种电子设备中。
SSM3J334R-HXY特性
暂无产品特性。
SSM3J334R-HXY应用领域
暂无应用领域。
