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SSM3J334R-HXY
IC

SOT-23-3L

可供量大可议

SSM3J334R-HXY

这款场效应管采用P型设计, 适用于多种应用场景。 其关键参数包括:电流能力高达4.1A, 承受电压可达30V, 内阻典型值为42mR, 栅源极电压VGS为20V。 该元器件具有优异的性能和稳定性, 可确保在各种工作环境下提供可靠的性能表现, 适合用于电源管理、信号放大等多种电子设备中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23-3L

库存

10

货期

现货

SSM3J334R-HXY参数

封装SOT-23-3L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存10

SSM3J334R-HXY概述

这款场效应管采用P型设计, 适用于多种应用场景。 其关键参数包括:电流能力高达4.1A, 承受电压可达30V, 内阻典型值为42mR, 栅源极电压VGS为20V。 该元器件具有优异的性能和稳定性, 可确保在各种工作环境下提供可靠的性能表现, 适合用于电源管理、信号放大等多种电子设备中。

SSM3J334R-HXY特性

暂无产品特性。

SSM3J334R-HXY应用领域

暂无应用领域。

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