SSM3J332R-VB
IC
SOT-23(TO-236)
可供量大可议
SSM3J332R-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一种单路P沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于各种不同的领域和模块， 例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23； P—Channel沟道, -30V； -5.6A； RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-0.5~-2V
品牌
VBsemi
封装
SOT-23(TO-236)
库存
45
货期
现货
SSM3J332R-VB参数
| 封装 | SOT-23(TO-236) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
SSM3J332R-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一种单路P沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于各种不同的领域和模块， 例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23； P—Channel沟道, -30V； -5.6A； RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-0.5~-2V
SSM3J332R-VB特性
暂无产品特性。
SSM3J332R-VB应用领域
暂无应用领域。