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SSM3J14T-HXY
IC

SOT-23-3L

可供量大可议

SSM3J14T-HXY

型号SSM3J14T 的P沟道MOS管采用小型SOT-23-3L封装, 适合于紧凑型电路设计。 该器件具备出色电气性能, 最大工作电压VDSS高达30V, 可持续处理4.1A电流, 适用中大型电流应用场景。 其特色在于导通电阻RD(on)低至42mR, 有助于降低功率损耗并提升能源使用效率。 广泛应用于电源转换、负载开关、反向电流保护等功能模块, 是工程师构建高效节能电子系统的重要组件。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23-3L

库存

20

货期

现货

SSM3J14T-HXY参数

封装SOT-23-3L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存20

SSM3J14T-HXY概述

型号SSM3J14T 的P沟道MOS管采用小型SOT-23-3L封装, 适合于紧凑型电路设计。 该器件具备出色电气性能, 最大工作电压VDSS高达30V, 可持续处理4.1A电流, 适用中大型电流应用场景。 其特色在于导通电阻RD(on)低至42mR, 有助于降低功率损耗并提升能源使用效率。 广泛应用于电源转换、负载开关、反向电流保护等功能模块, 是工程师构建高效节能电子系统的重要组件。

SSM3J14T-HXY特性

暂无产品特性。

SSM3J14T-HXY应用领域

暂无应用领域。

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