SSM3J14T-HXY
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
SSM3J14T-HXY
型号SSM3J14T 的P沟道MOS管采用小型SOT-23-3L封装, 适合于紧凑型电路设计。 该器件具备出色电气性能, 最大工作电压VDSS高达30V, 可持续处理4.1A电流, 适用中大型电流应用场景。 其特色在于导通电阻RD(on)低至42mR, 有助于降低功率损耗并提升能源使用效率。 广泛应用于电源转换、负载开关、反向电流保护等功能模块, 是工程师构建高效节能电子系统的重要组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23-3L
库存
20
货期
现货
SSM3J14T-HXY参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
SSM3J14T-HXY概述
型号SSM3J14T 的P沟道MOS管采用小型SOT-23-3L封装, 适合于紧凑型电路设计。 该器件具备出色电气性能, 最大工作电压VDSS高达30V, 可持续处理4.1A电流, 适用中大型电流应用场景。 其特色在于导通电阻RD(on)低至42mR, 有助于降低功率损耗并提升能源使用效率。 广泛应用于电源转换、负载开关、反向电流保护等功能模块, 是工程师构建高效节能电子系统的重要组件。
SSM3J14T-HXY特性
暂无产品特性。
SSM3J14T-HXY应用领域
暂无应用领域。
